各N-MOS，PMOS管SI2301,SI2302_深圳市百盛新纪元半导体有限公司

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深圳市百盛新纪元半导体有限公司

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所在地区：广东深圳

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各N-MOS，PMOS管SI2301,SI2302

型号/规格：

SI2302

品牌/商标：

封装形式：

sot23-3

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

贴片式

包装方式：

卷带编带包装

询价

产品信息

SI2301是二三级管的一种，属于场效应管。

主要参数

晶体管类型： P沟道MOSFET

功耗PD ： 1.25W

栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值）

漏源电压VDS ：－20V（极限值）

漏极电流ID：TA=25°时：-2.3A，TA=70°时：-1.5A

通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）

栅极漏电流IGSS：±100nA

结温：55℃to+150℃

封装：SOT-23

NMOS管组成的NMOS电路、PMOS管组成的PMOS电路及由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。

PMOS门电路与NMOS电路的原理完全相同，只是电源极性相反而已。

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