深圳市百盛新纪元半导体有限公司

一、特点

1. 单通道内置功率MOS全桥驱动

2. 驱动前进、后退、停止及刹车功能

3. 内置迟滞热效应过热保护功能

4. 低导通电阻(1.6Ω)

5. 连续输出电流可达1.8A，峰值2.5A

6. 无需外围大滤波电容，只需小贴片电容

7. 采用DIP-8、SOP-8封装形式

二、产品应用

玩具马达驱动

电子锁

电动牙刷

电动差距

注：在不同的应用中，C2、C3可考虑只装一个；在4.5V应用中建议用一个1uF或以上；在4.5V应用中建议用一个4.7uF或以上；在6V应用中建议用一个大电容220μF+100nF贴片电容。G2均靠近IC之VDD管脚放置且电容的负极和IC的GND端之间的连线也需尽量短。即不要电容虽然近，但布线、走线却绕得很远参考下图。当应用板上有大电容在为其它芯片滤波时且离TC118S较远也需按加上要求再放置一个小电容于TC118S的VDD脚上。图中C4(100nF)电容优先接于马达上；当马达上不方便焊此电容时，则将其置于PCB上。