AO8810 共漏双n通道增强模场效应晶体管_深圳市百盛新纪元半导体有限公司

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深圳市百盛新纪元半导体有限公司

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>稳压IC(63)
>充电管理IC(217)
>其他电源IC(181)

LED(54)

AO8810 共漏双n通道增强模场效应晶体管

型号/规格：

AO8810

品牌/商标：

AOS

环保类别：

无铅环保型

批号：

22+

产品名称：

共漏双n通道增强模场效应晶体管

询价

产品信息

概述
AO8810/L采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至1.8V的操作。该设备适用于作为负载开关或在PWM应用程序中使用。它是ESD保护。AO8810和AO8810L的电性相同。-符合RoHS标准-AO8810L不含卤素

特征
VDS (V) = 20V
ID = 7 A (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 20mΩ (VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 21mΩ (VGS = 4.0V)
RDS(ON) < 22mΩ (VGS = 3.1V)
RDS(ON) < 24mΩ (VGS = 2.5V)
RDS(ON) < 32mΩ (VGS = 1.8V)
ESD Rating: 2000V HBM

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