PL60N02D TO-252-3 N通道增强模式MOSFET_深圳市百盛新纪元半导体有限公司

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深圳市百盛新纪元半导体有限公司

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经营模式：

所在地区：广东深圳

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PL60N02D TO-252-3 N通道增强模式MOSFET

型号/规格：

PL60N02D

品牌/商标：

PULAN/普蓝

封装形式：

TO-252-3

环保类别：

无铅环保型

安装方式：

直插式

包装方式：

卷带编带包装

功率特征：

大功率

PDF资料：

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询价

产品信息

概述

PL60N02D采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。

特征

VDS = 20V ID =60A

RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V

应用

蓄电池保护

负荷开关

不间断电源

概述

PL60N02D采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS(ON)、低栅极电荷和栅极电压低至2.5V的操作。本设备适用于用作电池保护或其他开关应用程序。

特征

VDS = 20V ID =60A

RDS(ON) < 5.5mΩ@ VGS=10V

应用

蓄电池保护

负荷开关

不间断电源

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普通库存(7587)

集成电路(IC)(68)

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半导体存储器(2)

二极管(5)

三极管(23)

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